Inspektion von epitaxierten und strukturierten Wafern

Optimieren Sie Ihren Fertigungsprozess

Bei der Herstellung von Epitaxieschichten können durch mangelhafte Substratqualität, prozessbedingte Verunreinigungen und einen fehlerhaften Beschichtungsprozess eine Vielzahl unterschiedlicher Defekte entstehen. Für deren sichere und zuverlässige Erkennung stehen verschiedene leistungsstarke Inspektionsmethoden zur Verfügung. Insbesondere die Photolumineszenz- und DIC-Mikroskopie ermöglichen eine zuverlässige Detektion von kritischen kristallographischen Defekten, die zum Ausfall von Bauteilen führen können, wenn sie nicht rechtzeitig erkannt werden.

Die Erkennung von Belichtungs- und Implantationsfehlern sowie die Bestimmung von CD-Werten und des Overlay-Versatzes sind für die komplexe Herstellung von mikroelektronischen Produkten von entscheidender Bedeutung. Die Prüf- und Messsysteme von Intego werden hierbei durch die firmeneigene CAD-basierte Auswertesoftware unterstützt. Diese ermöglicht eine präzise Fehlererkennung bei strukturierten Wafern und Vorhersage der Waferausbeute. Zusätzlich zu den klassischen Auswertealgorithmen stehen auch modernste neuronale Netze zur Fehlererkennung und Klassifizierung zur Verfügung.

Inspektion von unstrukturierten Epiwafern

• gleichzeitige Vorder- und Rückseiteninspektion
• Detektion von Mikro- und Makrodefekten
• Waferinspektion mit innovativen hochauflösenden Bildgebungsverfahren wie etwa Laserstreuung, Photolumineszenz und DIC
• zuverlässige Erkennung von Vertiefungen, Erhebungen, Partikeln, Beschichtungsdefekten, Farbabweichungen, Ätzrückständen, Stapelfehlern, Basalflächenversetzungen, Slip-Lines, etc.

Inspektion von strukturierten Epiwafern

• optische Überprüfung von teilprozessierten Wafern inklusive laserstrukturierter Oberflächen
• CAD-basierte Defekterkennung und Strukturvermessung
• präzise Detektion von Oberflächen- und Kristalldefekten sowie von Belichtungs-, Implantations-, Overlay- und CD-Fehlern
• Vorhersage der Waferausbeute basierend auf innovativen Algorithmen zur Defektklassifikation

Einige allgemeine Leistungsangaben

Anwendung

• Inspektion von opaken und (teil-)transparenten Wafern bis zu 300 mm
• Lösungen für Si, SiC, GaN, GaAs, Ge, Saphir, Glas, etc. verfügbar

Technologie

• individuelle Anpassung der Bildaufnahme an die Wafereigenschaften
• gleichzeitige Inspektion mit mehreren Fokusebenen, Vergrößerungen und Beleuchtungsszenarien
• Inspektion mittels Hellfeld, Dunkelfeld, Durchlicht, Laserstreuung, Polarisation, Photolumineszenz, Spektroskopie, DIC, etc.
• maßgeschneiderte Beleuchtungen von UV bis IR
• höchstauflösende Messmethoden bis zu 0.1um/px

Handling

• individuelle EFEM-Lösungen oder Standard-EFEM-Anbieter (z.B. Rorze, Brooks, InnoLas)
• Kassettenports kompatibel mit OC, FOSB, FOUP und SMIF-basierten Kassetten, auf Wunsch sind auch Kombination möglich
• maßgeschneidertes Chuckdesign für Vakuum- oder Kanten-Handling
• konfigurierbar mit Waferflipper, Prealigner, ID-Scanner, etc.

Software

• firmeneigene und hochentwickelte Deep Learning Algorithmen zur automatischen Fehlererkennung und -klassifizierung
• Möglichkeit zur manuellen Überprüfung und Nachklassifikation an Defektmappings
• umfangreiche Software zur Waferdefektanalyse, Ergebnisaufbereitung u. Yield-Bestimmung
• maßgeschneiderte GUI, KLARF Reporting und SQL-Datenbanklösungen
• SEMI-Softwareschnittstellen inkl. SECS/GEM

Weitere Möglichkeiten

Sollten Sie eine individuelle Lösung wünschen, bietet Intego kostenlose Voruntersuchungen auf Basis von Musterteilen an. Mit der Studie erhalten Sie ein Systemkonzept mit einer Preisabschätzung. Zögern Sie nicht, uns direkt zu kontaktieren.