Inspektion von epitaxierten und strukturierten Wafern

Optimieren Sie Ihren Fertigungsprozess

Bei der Herstellung von Epitaxieschichten können durch mangelhafte Substratqualität, prozessbedingte Verunreinigungen und einen fehlerhaften Beschichtungsprozess eine Vielzahl unterschiedlicher Defekte entstehen. Für deren sichere und zuverlässige Erkennung stehen verschiedene leistungsstarke Inspektionsmethoden zur Verfügung. Insbesondere die Photolumineszenz- und DIC-Mikroskopie ermöglichen eine zuverlässige Detektion von kritischen kristallographischen Defekten, die zum Ausfall von Bauteilen führen können, wenn sie nicht rechtzeitig erkannt werden.

Die Erkennung von Belichtungs- und Implantationsfehlern sowie die Bestimmung von CD-Werten und des Overlay-Versatzes sind für die komplexe Herstellung von mikroelektronischen Produkten von entscheidender Bedeutung. Die Prüf- und Messsysteme von Intego werden hierbei durch die firmeneigene CAD-basierte Auswertesoftware unterstützt. Diese ermöglicht eine präzise Fehlererkennung bei strukturierten Wafern und Vorhersage der Waferausbeute. Zusätzlich zu den klassischen Auswertealgorithmen stehen auch modernste neuronale Netze zur Fehlererkennung und Klassifizierung zur Verfügung.

Inspektion von unstrukturierten Epiwafern

gleichzeitige Vorder- und Rückseiteninspektion
Detektion von Mikro- und Makrodefekten
Waferinspektion mit innovativen hochauflösenden Bildgebungsverfahren wie etwa Laserstreuung, Photolumineszenz und DIC
zuverlässige Erkennung von Vertiefungen, Erhebungen, Partikeln, Beschichtungsdefekten, Farbabweichungen, Ätzrückständen, Stapelfehlern, Basalflächenversetzungen, Slip-Lines, etc.

Inspektion von strukturierten Epiwafern

optische Überprüfung von teilprozessierten Wafern inklusive laserstrukturierter Oberflächen
CAD-basierte Defekterkennung und Strukturvermessung
präzise Detektion von Oberflächen- und Kristalldefekten sowie von Belichtungs-, Implantations-, Overlay- und CD-Fehlern
Vorhersage der Waferausbeute basierend auf innovativen Algorithmen zur Defektklassifikation

Einige allgemeine Leistungsangaben

Anwendung

Inspektion von opaken und (teil-)transparenten Wafern bis zu 300 mm

Lösungen für Si, SiC, GaN, GaAs, Ge, Saphir, Glas, etc. verfügbar

Technologie

individuelle Anpassung der Bildaufnahme an die Wafereigenschaften

gleichzeitige Inspektion mit mehreren Fokusebenen, Vergrößerungen und Beleuchtungsszenarien

Inspektion mittels Hellfeld, Dunkelfeld, Durchlicht, Laserstreuung, Polarisation, Photolumineszenz, Spektroskopie, DIC, etc.

maßgeschneiderte Beleuchtungen von UV bis IR

höchstauflösende Messmethoden bis zu 0.1um/px

Handling

individuelle EFEM-Lösungen oder Standard-EFEM-Anbieter (z.B. Rorze, Brooks, InnoLas)

Kassettenports kompatibel mit OC, FOSB, FOUP und SMIF-basierten Kassetten, auf Wunsch sind auch Kombination möglich

maßgeschneidertes Chuckdesign für Vakuum- oder Kanten-Handling

konfigurierbar mit Waferflipper, Prealigner, ID-Scanner, etc.

Software

firmeneigene und hochentwickelte Deep Learning Algorithmen zur automatischen Fehlererkennung und -klassifizierung

Möglichkeit zur manuellen Überprüfung und Nachklassifikation an Defektmappings

umfangreiche Software zur Waferdefektanalyse, Ergebnisaufbereitung u. Yield-Bestimmung

maßgeschneiderte GUI, KLARF Reporting und SQL-Datenbanklösungen

SEMI-Softwareschnittstellen inkl. SECS/GEM

Weitere Möglichkeiten

Falls Sie eine individuelle Lösung benötigen, bietet Intego kostenfreie Voruntersuchungen anhand von Musterteilen an. Die Voruntersuchung beinhaltet einen Vorschlag zum Systemaufbau und eine Kostenabschätzung. Nehmen Sie Kontakt zu uns auf.